在德銀看來，2026年依然是科技硬件的投資大年。

　　德銀近期發(fā)布了一份深度研究報告，全面梳理了2026年科技硬件行業(yè)（涵蓋半導體、電信設備、IT硬件）的七大核心主題。這些主題將成為未來一年投資圈關注的焦點。

　　一起來看一下七大主題的深度解析。

　　01

　　嚴重內(nèi)存短缺推動半導體設備標的重估

　　過去三個月，DRAM現(xiàn)貨價格飆升300%-400%（達原來的4-5倍），凸顯了當前嚴重的內(nèi)存短缺局面。按具體型號來看，DDR4現(xiàn)貨價格為每GB 17美元，DDR5現(xiàn)貨價格為每GB 13-14美元。

　　合約價格漲幅相對溫和（例如Trendforce預測2025年第四季度PC DRAM合約價格環(huán)比上漲25%-30%，服務器DRAM合約價格環(huán)比上漲43%-48%）。此外，隨著分銷商庫存耗盡，多數(shù)機構預計2026年上半年內(nèi)存價格將至少再上漲30%-50%。

　　NAND閃存市場呈現(xiàn)類似趨勢，供應有限推動現(xiàn)貨價格大幅上漲——核心基準產(chǎn)品過去三個月價格上漲200%。NAND閃存合約價格同樣快速攀升，Trendforce數(shù)據(jù)顯示，11月晶圓級NAND合約價格環(huán)比上漲20%-60%，基準512Gb TLC合約價格環(huán)比漲幅超65%，供應商已具備“顯著定價權”。預計2026年第一季度NAND閃存價格將繼續(xù)實現(xiàn)兩位數(shù)漲幅。

　　就晶圓廠設備支出預期的影響而言，盡管短期受HBM相關產(chǎn)能擴張的潔凈室供應有限，或NAND閃存領域投資意愿不足等因素制約，但內(nèi)存領域有望推動2027/2028年晶圓廠設備支出預期顯著上調(diào)。

　　德銀認為，此次內(nèi)存短缺的嚴重程度可能成為IT硬件領域的“頭條新聞”，這意味著投資者將愿意持有半導體設備標的，等待估值突破機會。即便考慮到主流品類可能下調(diào)配置以緩解短缺，短缺局面仍可能持續(xù)至2027年，這一可能性進一步強化了上述預期。

　　具體而言，像ASML這類標的，其2027年預期市盈率當前為25-30倍，未來有望突破至35倍（與我們上調(diào)后的目標價一致）。盡管這一估值水平高于正常區(qū)間，但需注意的是，盡管ASML在毛利率方面具備顯著優(yōu)勢（低數(shù)值孔徑極紫外光刻機毛利率及吞吐量驅(qū)動），但其當前相對其他五大半導體設備巨頭的估值溢價處于10年區(qū)間底部，僅約20%。

　　2026年市場影響：2027-2028年DRAM晶圓廠設備支出大幅增長的最敏感標的無疑是ASML、VAT集團與SUSS MicroTec。若2027年起NAND閃存晶圓廠設備支出復蘇，將對Comet尤為有利。ASM國際此前已顯著跑輸，在經(jīng)歷估值調(diào)整后，其表現(xiàn)有望與ASML保持一致。

　　02

　　AI投入擠占非AI領域組件供應

　　內(nèi)存、被動元件及光學組件可能面臨供應挑戰(zhàn)，并將在2026年對主流電子產(chǎn)品生產(chǎn)產(chǎn)生連鎖影響。此外，硬盤驅(qū)動器等領域也存在短缺問題。最可能受負面影響的品類包括消費電子、智能手機、個人電腦及汽車電子產(chǎn)品。

　　供應鏈中最脆弱的環(huán)節(jié)是智能手機、消費電子、PC領域的中低端原始設備制造商——這些廠商議價能力較弱，且往往依賴分銷渠道。

　　鑒于內(nèi)存成本上漲，這些廠商可能要求無晶圓廠企業(yè)提供更大幅度的價格讓步，這也可能對無晶圓廠企業(yè)產(chǎn)生連鎖影響。短期內(nèi)最可能出現(xiàn)的結果是廠商轉(zhuǎn)向更低內(nèi)存配置，另一種可能則是產(chǎn)品發(fā)布直接延遲。

　　相比之下，汽車電子領域受到的相對影響較小，因為供應商通常會為汽車級產(chǎn)品維持獨立的生產(chǎn)線，以滿足可靠性規(guī)格要求。

　　03

　　光學領域在AI數(shù)據(jù)中心持續(xù)發(fā)力

　　AI數(shù)據(jù)中心的投入推動了帶寬需求飆升，數(shù)據(jù)中心內(nèi)部及數(shù)據(jù)中心之間的流量呈爆炸式增長。

　　目前，大多數(shù)AI數(shù)據(jù)中心采用以太網(wǎng)或InfiniBand協(xié)議，搭配可插拔光學器件。但隨著技術發(fā)展，數(shù)據(jù)中心正逐步向更高速度的可插拔光學器件、線性可插拔光學器件（LPO）演進，未來將實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心內(nèi)部的共封裝光學器件（CPO），并搭配更廣泛的相干鏈路。

　　LPO以可插拔模塊形式實現(xiàn)，但采用線性驅(qū)動器替代完整的數(shù)字信號處理器，可降低功耗與延遲。

　　在CPO架構下，光學引擎緊鄰交換機/xPU，這一設計更有利于硅光子集成芯片（SiPho PIC）。在此過程中，隨著光學器件替代高速電氣通道，且更多光學通道集成封裝，光學組件的含量將大幅提升。

　　04

　　測試領域持續(xù)升溫

　　作為英偉達等企業(yè)的核心探針卡供應商Technoprobe（市場份額約100%），測試領域正經(jīng)歷由芯片復雜度提升與失效成本上升驅(qū)動的結構性轉(zhuǎn)型。

　　簡而言之，隨著AI加速器封裝成本日益高昂，且每個封裝集成的芯粒數(shù)量不斷增加，疊加良率動態(tài)的復合效應，報廢成本呈指數(shù)級增長。這為測試預算提供了結構性支撐，英偉達等客戶正積極擴大測試覆蓋范圍，為此前因成本過高而受限、旨在提升測試質(zhì)量并降低漏檢率（假陽性/假陰性）的測試方案創(chuàng)造了更有利的應用環(huán)境。

　　德銀預計這一趨勢將在2026年進一步強化：臺積電計劃2022-2026年期間將其“AI測試產(chǎn)能”以80%的復合年增長率擴張，同時外包半導體封測廠商也計劃在2026年大幅擴充產(chǎn)能，以緩解當前的產(chǎn)能瓶頸。

　　先進封裝領域，臺積電與外包半導體封測廠商持續(xù)投入2.5D CoWoS產(chǎn)能擴張；在技術可行的情況下，行業(yè)對從2.5D向3D封裝轉(zhuǎn)型的需求強烈。

　　總體而言，2026年蘋果將首次采用臺積電的3D封裝方案，應用于高端筆記本電腦，且可能實現(xiàn)CPU與GPU模塊的分離設計，這將充分體現(xiàn)3D封裝在邏輯芯片領域的應用機遇。

　　然而，2026-2027年期間更大的市場機遇仍來自DRAM領域：HBM4E與HBM5有望從熱壓鍵合轉(zhuǎn)向無焊劑熱壓鍵合，或轉(zhuǎn)向晶圓對晶圓混合鍵合工藝，以實現(xiàn)16層及以上的堆疊。

　　與此同時，隨著英特爾推出背側(cè)供電技術，晶圓對晶圓混合鍵合趨勢將進一步加速。

　　05

　　氮化鎵樂觀預期

　　英偉達推動AI數(shù)據(jù)中心向800V架構轉(zhuǎn)型是一項重大舉措，需要供應鏈各方的協(xié)同努力——這一轉(zhuǎn)型同時涉及電網(wǎng)接口設備、功率半導體、磁性元件、冷卻系統(tǒng)和機架結構等多個領域。

　　當前48V架構在傳輸過程中存在電流過大問題，導致嚴重的功率損耗和銅纜使用量過高，因此向800V架構轉(zhuǎn)型勢在必行。

　　英偉達對AI數(shù)據(jù)中心的推動正為氮化鎵創(chuàng)造發(fā)展動力，這堪比碳化硅在特斯拉身上的應用時刻。

　　AI處理器功耗預計將從2023年的7GW增長至2030年的70GW以上，這一10倍的增長將為能夠解決這些重大功率問題的供應商創(chuàng)造商業(yè)機遇。隨著向800V架構轉(zhuǎn)型，工作電壓15倍的提升將提高能效，同時使機架功率達到1MW或更高。

　　這將推動功率半導體市場規(guī)模擴張——每GW供電對應的功率半導體含量將達到3000-5000萬美元，到2030年氮化鎵和碳化硅市場規(guī)模有望達到26億美元。

　　06

　　邊緣AI主題取得適度進展

　　邊緣AI指在終端用戶設備上本地進行輕量級AI處理，或卸載至本地邊緣節(jié)點（網(wǎng)關），而非依賴云端進行重型AI處理的模式。其核心優(yōu)勢包括保護隱私、降低延遲，同時具備節(jié)省數(shù)據(jù)中心投入的潛力。

　　多家企業(yè)表示，邊緣AI已進入加速增長階段，盡管目前基數(shù)較低。例如，AMD在其投資者日活動中指出，“邊緣AI爆發(fā)”“現(xiàn)已開啟”；但該公司隨后也承認，邊緣解決方案“仍處于應用初期階段”，盡管市場關注度較高，但目前仍處于“試驗階段”。長期以來，市場一直被告知邊緣概念將成為下一個重大機遇，因此投資者對此持懷疑態(tài)度也在情理之中。

　　安霸表示，其定義的“邊緣AI”（即其芯片參與設備端AI處理的市場）將在2025年占其總收入的80%，涵蓋汽車高級駕駛輔助系統(tǒng)、視頻監(jiān)控、機器人和智能城市等應用領域。

　　工業(yè)領域，羅克韋爾自動化近期推出了基于英偉達Nemotron Nano的解決方案——這是一款專為羅克韋爾產(chǎn)品工作流程優(yōu)化的小型語言模型。

　　羅克韋爾通過利用開源模型和英偉達Nemo平臺，為工業(yè)環(huán)境提供基于邊緣的生成式AI能力。

　　07

　　中國半導體本土化進程實質(zhì)性轉(zhuǎn)折

　　根據(jù)德銀專家訪談反饋，中國在成熟制程半導體以及約半數(shù)晶圓廠設備支出相關領域的能力已出現(xiàn)明顯轉(zhuǎn)折。

　　目前的變化體現(xiàn)在兩個層面：一是中國原始設備制造商與集成器件制造商/晶圓代工廠面臨更大的本土采購壓力；二是中國本土供應商在規(guī)模與質(zhì)量上滿足這些客戶需求的能力顯著提升。

　　德銀認為，2026年可能成為一個關鍵年份——市場將更清晰地認識到，西方企業(yè)無論在半導體還是半導體設備領域，其在中國市場的潛在市場規(guī)�？赡苊媾R萎縮。

　　換言之，中國企業(yè)此前“低端市場滲透”的敘事可能升級為“中端市場滲透”。這將迫使西方企業(yè)選擇相應的應對策略，具體策略可能因產(chǎn)品而異。

　　包括：

　　一、加大創(chuàng)新投入

　　二、收縮業(yè)務

　　三、戰(zhàn)略合作

　　四、被動承受

　　眾多中國半導體企業(yè)計劃在香港上市的消息進一步加劇了這一擔憂。

　　2025年6月以來，韋爾股份、通富微電（002156）、圣邦股份（300661）、中芯國際和納芯微等企業(yè)已提交招股說明書，彰顯了這些企業(yè)對自身市場份額提升能力的信心。此前在2024年已出現(xiàn)一波上市潮，包括英諾賽科和地平線等重要企業(yè)完成上市。

　　半導體領域，德銀預計部分品類（如功率模塊、碳化硅、傳感器、低端微控制單元）的競爭可能過于激烈，導致部分西方企業(yè)選擇退出。

　　幸運的是，這些領域積累的產(chǎn)能大多可轉(zhuǎn)向AI數(shù)據(jù)中心相關應用。半導體設備領域，預計中國本土企業(yè)將在更多細分領域形成實質(zhì)性競爭：例如ASM國際在原子層沉積設備領域?qū)⒚媾R先導集團、中微公司和華峰測控的競爭；此外，華海清科有望在中國晶圓對晶圓混合鍵合設備領域獲得更多關注。