廣發(fā)證券發(fā)布研報稱，HBF在讀為主應(yīng)用優(yōu)勢顯著，商業(yè)化進程加速。該技術(shù)有效填補了HBM與傳統(tǒng)固態(tài)硬盤之間的空白，為對容量和成本敏感的讀取密集型應(yīng)用提供理想的解決方案。AI記憶持續(xù)擴展模型能力邊界，AIAgent等應(yīng)用加速落地。AI記憶相關(guān)上游基礎(chǔ)設(shè)施價值量、重要性將不斷提升。建議關(guān)注產(chǎn)業(yè)鏈核心受益標(biāo)的。

　　廣發(fā)證券主要觀點如下：

　　 HBF是基于3DNAND的高帶寬堆疊存儲介質(zhì)

　　 HBF是一種基于NAND閃存的堆疊閃存技術(shù)，通過類似HBM的封裝/互連方式把多個NAND閃存芯片堆疊起來，形成兼具高帶寬和大容量的存儲層。

　　 HBF在讀為主應(yīng)用優(yōu)勢顯著

　　 HBF定位介于HBM與SSD之間，面向AI推理場景，旨在提供更高容量擴展、更優(yōu)能效及更低總體擁有成本。(1)成本與容量優(yōu)勢：在相同的物理空間內(nèi)，單個HBF堆�？商峁└哌_512GB的容量，較HBM提升一個數(shù)量級，顯著降低系統(tǒng)單位容量成本;(2)讀取帶寬高、能效高：根據(jù)Sandisk2025Investor Day數(shù)據(jù)顯示，首代HBF目標(biāo)參數(shù)包括：16-die堆疊、單堆棧512GB容量，1.6TB/s讀取帶寬，讀取帶寬可接近HBM水平，同時由于無需DRAM持續(xù)刷新，其靜態(tài)功耗明顯更低;(3)寫入耐久性受限：HBF讀取側(cè)壽命約束相對較弱，而寫入/擦除壽命是主要限制，更適合承接讀多寫少、可預(yù)取的數(shù)據(jù)層，如共享KVCache中的部分歷史塊、以及部分權(quán)重/參數(shù)分片等;而時延最敏感、更新最頻繁的數(shù)據(jù)仍應(yīng)優(yōu)先由HBM承接。整體來看，HBF有效填補了HBM與傳統(tǒng)固態(tài)硬盤之間的空白，為對容量和成本敏感的讀取密集型應(yīng)用提供理想的解決方案。

　　 HBF商業(yè)化進程正加速

　　根據(jù)trendforce數(shù)據(jù)，2025年8月，Sandisk宣布與SK hynix合作推進HBF標(biāo)準(zhǔn)化生態(tài)建設(shè)，根據(jù)SK hynix公眾號，2026年2月雙方宣布在OCP(開放計算項目)體系下，啟動下一代HBF全球標(biāo)準(zhǔn)化進程。根據(jù)trendforce數(shù)據(jù)，閃迪計劃于2026年下半年提供HBF模塊樣品，并于2027年初推出首批集成HBF的AI推理服務(wù)器;SK hynix在OCP2025上將HBF納入其AIN(AI-NAND)產(chǎn)品線中的AINB(Bandwidth)方向;根據(jù)trendforce數(shù)據(jù)，三星電子于2025年開始對自家HBF產(chǎn)品的早期概念設(shè)計工作，顯示主流存儲廠商對該技術(shù)路徑的關(guān)注度持續(xù)提升。

　　風(fēng)險提示

　　 AI產(chǎn)業(yè)發(fā)展以及需求不及預(yù)期;AI服務(wù)器出貨量不及預(yù)期，國產(chǎn)廠商技術(shù)和產(chǎn)品進展不及預(yù)期。