廣發(fā)證券（000776）發(fā)布研報(bào)稱，HBF在讀為主應(yīng)用優(yōu)勢(shì)顯著，商業(yè)化進(jìn)程加速。該技術(shù)有效填補(bǔ)了HBM與傳統(tǒng)固態(tài)硬盤之間的空白，為對(duì)容量和成本敏感的讀取密集型應(yīng)用提供理想的解決方案。AI記憶持續(xù)擴(kuò)展模型能力邊界，AIAgent等應(yīng)用加速落地。AI記憶相關(guān)上游基礎(chǔ)設(shè)施價(jià)值量、重要性將不斷提升。建議關(guān)注產(chǎn)業(yè)鏈核心受益標(biāo)的。
廣發(fā)證券（000776）主要觀點(diǎn)如下：
HBF是基于3DNAND的高帶寬堆疊存儲(chǔ)介質(zhì)
HBF是一種基于NAND閃存的堆疊閃存技術(shù)，通過(guò)類似HBM的封裝/互連方式把多個(gè)NAND閃存芯片堆疊起來(lái)，形成兼具高帶寬和大容量的存儲(chǔ)層。
HBF在讀為主應(yīng)用優(yōu)勢(shì)顯著
HBF定位介于HBM與SSD之間，面向AI推理場(chǎng)景，旨在提供更高容量擴(kuò)展、更優(yōu)能效及更低總體擁有成本。(1)成本與容量?jī)?yōu)勢(shì)：在相同的物理空間內(nèi)，單個(gè)HBF堆?？商峁└哌_(dá)512GB的容量，較HBM提升一個(gè)數(shù)量級(jí)，顯著降低系統(tǒng)單位容量成本;(2)讀取帶寬高、能效高：根據(jù)Sandisk2025Investor Day數(shù)據(jù)顯示，首代HBF目標(biāo)參數(shù)包括：16-die堆疊、單堆棧512GB容量，1.6TB/s讀取帶寬，讀取帶寬可接近HBM水平，同時(shí)由于無(wú)需DRAM持續(xù)刷新，其靜態(tài)功耗明顯更低;(3)寫入耐久性受限：HBF讀取側(cè)壽命約束相對(duì)較弱，而寫入/擦除壽命是主要限制，更適合承接讀多寫少、可預(yù)取的數(shù)據(jù)層，如共享KVCache中的部分歷史塊、以及部分權(quán)重/參數(shù)分片等;而時(shí)延最敏感、更新最頻繁的數(shù)據(jù)仍應(yīng)優(yōu)先由HBM承接。整體來(lái)看，HBF有效填補(bǔ)了HBM與傳統(tǒng)固態(tài)硬盤之間的空白，為對(duì)容量和成本敏感的讀取密集型應(yīng)用提供理想的解決方案。
HBF商業(yè)化進(jìn)程正加速
根據(jù)trendforce數(shù)據(jù)，2025年8月，Sandisk宣布與SK hynix合作推進(jìn)HBF標(biāo)準(zhǔn)化生態(tài)建設(shè)，根據(jù)SK hynix公眾號(hào)，2026年2月雙方宣布在OCP(開放計(jì)算項(xiàng)目)體系下，啟動(dòng)下一代HBF全球標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程。根據(jù)trendforce數(shù)據(jù)，閃迪（SNDK）計(jì)劃于2026年下半年提供HBF模塊樣品，并于2027年初推出首批集成HBF的AI推理服務(wù)器;SK hynix在OCP2025上將HBF納入其AIN(AI-NAND)產(chǎn)品線中的AINB(Bandwidth（BAND）)方向;根據(jù)trendforce數(shù)據(jù)，三星電子于2025年開始對(duì)自家HBF產(chǎn)品的早期概念設(shè)計(jì)工作，顯示主流存儲(chǔ)廠商對(duì)該技術(shù)路徑的關(guān)注度持續(xù)提升。
風(fēng)險(xiǎn)提示
AI產(chǎn)業(yè)發(fā)展以及需求不及預(yù)期;AI服務(wù)器出貨量不及預(yù)期，國(guó)產(chǎn)廠商技術(shù)和產(chǎn)品進(jìn)展不及預(yù)期。
